韓國研究證實：溝槽填充p型氮化鎵可增加InGaN LED輸出功率

文章來源:恒光電器

發布時間:2017-08-17

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韓國首爾國立大學和三星電子有限公司已經使用填充有p型氮化鎵的溝槽來增加InGaN LED的輸出功率。

溝槽的目的是使孔更有效地進入多量子阱（MQW）結構。在傳統的LED中，來自頂部p-GaN接觸層的孔往往要遠離阱頂部，這意味著從阱下部發出的光不會太多。通過溝槽，研究人員希望增加進入設備較深部分的孔的數量（圖1a）。

圖1.（a）常規LED和p型溝槽LED的MQW孔分布（b）張力存在或消除時，技術資訊，MQW的能帶結構

研究人員也希望用溝槽分裂應變材料能減少由III族氮化物極化引起MQW結構中的壓電場。張力的出現是由于GaN和InGaN晶體結構之間出現晶格失配。

在量子阱結構中， led服裝照明，工程照明，在內建極化電場的作用下，能帶發生傾斜，道路照明，LED照明品牌，電子和空穴發生分離，波函數交疊量減少，技術資訊，店鋪照明，并轉換成光子（圖1b），這就是通常說的量子限制斯塔克效應（QCSE）。通過在半極性或非極性晶體取向中生長材料可以避免這種影響，照明產品，但是通常需要使用昂貴的自立式或大塊的GaN基板。

空穴運輸差是導致高電流注入時效率下降的其中一個原因。由于大多數的電子-空穴復合發生在一個或兩個阱中，非輻射“俄歇”似的起始電流就會降低。此外，電子溢出到p-GaN接觸層中的概率大大增加。

用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)在c面藍寶石基板上生長的的3nm/12nm InGaN / GaN多量子阱，戶外照明，通過電子束光刻法定義溝槽。有源區發出藍光。光刻在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）抗蝕劑的100nm涂層上進行。通過電感耦合等離子體蝕刻將形成溝槽的圖案轉移到MQW結構中，在950℃溫度和200Torr壓力下，p型GaN填充的溝槽橫向生長。

研究人員還嘗試了一種選擇性濕蝕刻法，星級酒店照明燈具，在165℃的乙二醇中使用氫氧化鉀來形成溝槽，通過增加氧化銦錫（ITO）電流擴散層來測試結構的電致發光。金屬接觸點為鉻/鎳。

研究人員估計，沒有溝槽的設備排放的光輸出功率是具有類似有源區域的LED的約5％。通過干蝕刻產生溝槽增加了光輸出，并將藍移轉為較短的波長（圖2）。

圖2.（a）使用電子束光刻和常規結構的p型溝槽結構的光輸出功率; （b）電致發光（EL）; 和（c）正向和（d）反向電流。

1μm時溝槽的光輸出最大。研究人員評論道：“這是因為p型溝槽結構也減少了MQW的體積，設計，建筑照明，同時減少了張力和QCSE。因此，LED天花燈，為了將光輸出功率最大化，重要的是優化溝槽結構體積與剩余MQW體積之間的比率。”

波長位移在500nm時最大 – 從無溝槽的431nm到420nm，有效的帶隙因此從2.76eV增加到2.85eV，這得歸功于張力松弛。p溝道對于給定的電壓增加了正向電流，而且在反向偏壓下增加了泄漏。

溝槽的濕蝕刻也增加了光輸出功率，但并沒有顯著提高。此外， led室內照明，恒光電器,照亮您的生活，該技術在松弛張力時不是十分有效。電流-電壓行為也受濕蝕刻溝槽地影響較小。（編譯：LED網 James）

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