國標委公布23項LED相關擬立項國家標準

文章來源:恒光電器

發布時間:2013-11-27

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7月29日，商業照明燈具，國家標準化管理委員會決定對2011年第一批擬立項國家標準項目公開征求意見。征求意見截止時間為2011年8月29日。

　　此次國標委公布的2011年第一批擬立項國家標準項目中，包括LED相關標準23項，辦公照明，涉及外延芯片、封裝及照明應用各個環節。一旦這些國標順利實施，將對規范半導體照明市場、促進產業健康、快速發展，起到積極作用。

表1 國家標準化管理委員會公布的2011年第一批擬立項國家標準項目

項目名稱 完成時間 主管部門 歸口單位 起草單位 范圍和主要技術內容

Ⅲ族氮化物外延片結晶質量測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本標準適用于利用高分辨X射線衍射對III氮化物外延片結晶質量進行精準測量.

Ⅲ族氮化物外延片晶格參數測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本標準適用于利用高分辨X射線衍射對III氮化物外延片晶格常數進行精準測量.

LED發光用氮化鎵 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本規范規定了半導體發光二極管用氮化鎵材外延材料的技術要求、檢驗規則和檢驗方法.完成本研究項目后,我們將提交的技術文件包括:LED用外延片材料物理性能數據庫；LED用氮化物外延片測試方法；LED發光用氮化物材料性能規范.

LED外延芯片用磷化鎵襯底規范 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 本標準規定了LED外延芯片用磷化鎵襯底的分類、技術要求(電阻率、遷移率、載流子濃度要求；位錯密度要求；晶向；襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗規則、標志、包裝、運輸及貯存.

LED外延芯片用砷化鎵襯底規范 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所、國瑞、協鑫硅材料等 本標準規定了LED外延芯片用砷化鎵襯底的分類、技術要求(電阻率、遷移率、載流子濃度要求；位錯密度要求；晶向；襯底的幾何形貌及外形尺寸要求等.)檢驗規則、標志、包裝、運輸及貯存.

氮化鎵外延片及襯底片 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 上海藍光科技有限公司、東莞市中鎵半導體科技有限公司 本標準規定了氮化鎵外延片及襯底的技術要求、檢驗方法、檢驗規則、標志、包裝運輸和貯存等內容.本標準適用于采用金屬有機氣相外延方法得到的的N型氮化鎵外延片和P型氮化鎵外延片及采用氫化物氣相外延得到的氮化鎵襯底片.產品主要用于制作氮化鎵半導體器件,其他類型的氮化鎵外延片可參照執行.詳細內容見附件.

氮化物LED外延片內量子效率測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 中國科學院半導體研究所 適用于氮化物半導體LED外延材料的內量子效率檢測.  通過測量低溫(10K)和室溫下的PL發光積分強度確定外延片的內量子效率.確定測試的條件要求和設備系統的技術要求.

藍寶石襯底片厚度及厚度變化測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶單面拋光片,明確藍寶石襯底片的幾何參數測定方法

藍寶石單晶襯底拋光片規范 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶單面拋光片,明確2inch、4inch、6inch藍寶石襯底片的幾何參數測定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標準、包裝、標示等

藍寶石單晶晶錠 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶?,明確定?藍寶石晶?的幾何參數測定方法,參考面的加工方法、缺陷判定標準、包裝、標示等

藍寶石晶錠應力測試方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 協鑫光電科技(江蘇)有限公司 本標準涉及用于氮化?生長、半導器件襯底等的高純藍寶石單晶單面拋光片,明確藍寶石襯底片的幾何參數測定方法

碳化硅單晶拋光片 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所 本標準規定了碳化硅單晶拋光片的術語和定義、產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸和貯存等.本標準適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片,產品規格為2英寸至4英寸的導電型和半絕緣性碳化硅單晶拋光片.本標準參照SEMI M55.1-0304及國外先進標準,對碳化硅襯底材料的外形尺寸、表面幾何參數、晶面取向、晶片表面缺陷限度、微管密度、結晶質量和電阻率等主要技術指標都進行了要求,并規定了各種缺陷的定義及檢測方法,適用于全國從事碳化硅晶片及其相關行業的所有企業和機構.

碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法 2012 國家標準化管理委員會 全國半導體設備和材料標準化技術委員會 北京天科合達藍光半導體有限公司、中國科學院物理研究所 本標準規定了碳化硅單晶拋光片的微管和微管密度的定義、方法提要、一般要求、測試程序、分析結果的計算、精密度、質量保證和控制及檢測報告等.本標準適用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅單晶拋光片、微管的徑向尺寸在幾微米至幾十微米范圍內的微管密度的測量.樣品表面法線方向為<0001>方向,且其偏離角不應大于±8°.該方法使用正交偏光顯微鏡的透射光模式, 利用入射光線在微管周圍處的折射系數差異來確定微管,從而計算出相應的微管密度.

LED用稀土氮化物紅色熒光粉 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 有研稀土新材料股份有限公司 本標準適用于發光二極管用氮化物紅色熒光粉,可用于顯示、背光源或一般照明.主要技術內容包括,LED用氮化物紅色熒光粉相關的名詞術語及其定義、熒光粉的要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貯存等內容.

LED用稀土硅酸鹽熒光粉 2012 國家標準化管理委員會 全國稀土標準化技術委員會 大連路明發光科技股份有限公司 范圍:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉,主要包括發射綠光、黃光、橙紅色發光的各種結構形式的硅酸鹽熒光粉.主要技術內容:用于LED的硅酸鹽體系熒光粉標準以及相關檢測試驗方法:相對亮度、激發發射光譜性能、色品坐標等.